Sección de interfaz de entrada:

Hay tres señales en la sección de entrada: VIN de entrada de 12 VCC, voltaje de habilitación de trabajo ENB y señal de control de corriente del panel DIM. El VIN lo proporciona el adaptador y el voltaje ENB lo proporciona la MCU en la placa base, con un valor de 0 o 3V. Cuando ENB=0, el inversor no funciona, mientras que cuando ENB=3V, el inversor está en condiciones normales de funcionamiento; El voltaje DIM lo proporciona la placa base, con un rango de 0-5V. Se devuelven diferentes valores DIM al terminal de retroalimentación del controlador PWM, y la corriente proporcionada por el inversor a la carga también será diferente. Cuanto menor sea el valor DIM, mayor será el

salida de corriente del inversor.

Circuito de arranque de voltaje:

Cuando ENB está en un nivel alto, genera alto voltaje para iluminar los tubos de retroiluminación del panel.

Controlador PWM: Consta de las siguientes funciones: tensión de referencia interna, amplificador de error, oscilador y PWM, protección contra sobretensión, protección contra subtensión, protección contra cortocircuito y transistor de salida. 

Conversión CC:

Un circuito de conversión de voltaje está compuesto por transistores de conmutación MOS e inductores de almacenamiento de energía. El pulso de entrada es amplificado por un amplificador push-pull para hacer que el transistor MOS realice acciones de conmutación, de modo que el voltaje de CC cargue y descargue el inductor, y el otro extremo del inductor pueda obtener voltaje de CA.

Circuito de oscilación y salida LC:

Asegure el voltaje requerido de 1600 V para el encendido de la lámpara y reduzca el voltaje a 800 V después del encendido de la lámpara.

Retroalimentación de voltaje de salida:

Cuando la carga está funcionando, el voltaje de muestreo de retroalimentación desempeña un papel en la estabilización de la salida de voltaje de Inventor. 

Realmente puedes imaginarlo. Los componentes electrónicos que requieren polos positivos y negativos, resistencias e inductores generalmente no son necesarios. La posibilidad de que un diodo se rompa suele deberse a una avería, siempre y cuando el voltaje sea normal, generalmente no hay problema. Para un transistor, no conducirá. Si se invierten las conexiones positiva y negativa del regulador de voltaje, se dañará, pero normalmente algunos circuitos están protegidos por la conducción unidireccional de diodos. En los condensadores, existe una distinción entre positivo y negativo, que son los condensadores electrolíticos. Si las conexiones positivas y negativas
se invierten mucho, la carcasa explotará.

The main component is the diode. Switching tube oscillating transformer. Sampling. Widening tube. There is also the principle of parametric switching circuits such as oscillating circuits, resistors, capacitors, etc. The selection of the main power components for inverters is crucial. Currently, the most commonly used power components include Darlington Power Transistors (BJTs), Power Field Effect Transistors (MOSFETs), Insulated Gate Transistors (IGBTs), and Turn Off Thyristors (GTOs). MOSFETs are more commonly used in small capacity and low voltage systems because they have lower on state voltage drop and higher switching frequency. IGBT modules are generally used in high voltage and large capacity systems because their on state resistance increases with increasing voltage. IGBTs have a significant advantage in medium capacity systems, while GTOs are generally used as power components in ultra large capacity (100KVA and above) systems.

Large components: Field effect transistors or IGBTs, transformers, capacitors, diodes, comparators, and main controllers such as 3525. AC-DC-AC inverter and rectification filtering. 

The power level and accuracy are related to the complexity of the circuit.

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), as a new type of power semiconductor field controlled self turn off device, combines the high-speed performance of power MOSFET with the low resistance of bipolar devices. It has the characteristics of high input impedance, low voltage control power consumption, simple control circuit, high voltage resistance, and large current tolerance, and has been widely used in various power conversions. At the same time, major semiconductor manufacturers are constantly developing IGBT technologies with high withstand voltage, high current, high speed, low saturation voltage drop, high reliability, and low cost, mainly using manufacturing processes below 1um, and making some new progress in research and development.

1. Principio de funcionamiento del inversor totalmente controlado
Para el circuito principal del inversor de puente completo de salida monofásico de uso común, los componentes de CA utilizan transistores IGBT Q11, Q12, Q13 y Q14. La conducción o corte de los transistores IGBT se controla mediante modulación de ancho de pulso PWM.

Cuando el circuito inversor está conectado a una fuente de alimentación de CC, Q11 y Q14 se encienden primero y Q1 y Q13 se apagan. La corriente sale del polo positivo de la fuente de alimentación de CC, pasa a través de Q11, L o la bobina primaria del transformador que se muestra en la Figura 1-2 y regresa al polo negativo de la fuente de alimentación en Q14. Después de apagar Q11 y Q14, se encienden Q12 y Q13, y la corriente fluye desde el polo positivo de la fuente de alimentación a través de Q13 y el inductor de la bobina primaria del transformador 2-1 a Q12 y regresa al polo negativo del fuente de alimentación. En este punto, se han formado ondas cuadradas alternas positivas y negativas en la bobina primaria del transformador. Usando control PWM de alta frecuencia, dos pares de tubos IGBT se alternan y repiten, generando voltaje de CA en el transformador. Debido a la acción del filtro LC AC, se forma un voltaje CA de onda sinusoidal en el terminal de salida.

Cuando se apagan Q11 y Q14, para liberar la energía almacenada, los diodos D11 y D12 se conectan en paralelo en el IGBT para devolver la energía a la fuente de alimentación de CC.